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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SMBTA 06 E6433 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

内部编号

173-SMBTA-06-E6433

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:7433
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4705
1+¥1.2992
10+¥0.9299
100+¥0.3897
1000+¥0.2667
2500+¥0.2051
10000+¥0.1778
25000+¥0.1641
40000+¥0.1573
80000+¥0.1368
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SMBTA 06 E6433产品详细规格

规格书 SMBTA 06 E6433 datasheet 规格书
SMBTA06/MMBTA06
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 330mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 10,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 330mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SMBTA06INDKR
增益带宽产品fT 100 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 4 V
最大功率耗散 330 mW
系列 SMBTA06
直流集电极/增益hfe最小值 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 100 mA at 1 V
集电极最大直流电流 0.5 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 SMBTA06E6433HTMA1 SP000011688
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.5 A
工厂包装数量 40000
宽度 1.3 mm
品牌 Infineon Technologies
集电极 - 发射极饱和电压 0.25 V
长度 2.9 mm
身高 1 mm
Pd - Power Dissipation 330 mW

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